IPB120N06S402ATMA2
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IPB120N06S402ATMA2中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 188 W
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 120A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 12120pF @25VVds
下降时间 10 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 188W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
高度 4.4 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Valves control, Solenoids control, Lighting, Single-ended motors
符合标准
RoHS标准
含铅标准 无铅
IPB120N06S402ATMA2引脚图与封装图
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在线购买IPB120N06S402ATMA2
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPB120N06S402ATMA2 | Infineon 英飞凌 | Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPB120N06S402ATMA2, 120 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装 | 搜索库存 |
替代型号IPB120N06S402ATMA2
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IPB120N06S402ATMA2 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-263-3 N-CH 60V 120A | 当前型号 | Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPB120N06S402ATMA2, 120 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装 | 当前型号 |
| 型号： IPB120N06S402ATMA1 品牌： 英飞凌 封装： D2PAK N-CH 60V 120A | 功能相似 | D2PAK N-CH 60V 120A | IPB120N06S402ATMA2和IPB120N06S402ATMA1的区别 |