IXFH6N100F
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXFH6N100F中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 1.9 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 180 W
阈值电压 5 V
漏源极电压Vds 1 kV
漏源击穿电压 1000 V
连续漏极电流Ids 6.00 A
上升时间 8.6 ns
输入电容Ciss 1770pF @25VVds
下降时间 8.3 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 180W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
长度 16.26 mm
宽度 5.3 mm
高度 21.46 mm
封装 TO-247-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
IXFH6N100F引脚图与封装图
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在线购买IXFH6N100F
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFH6N100F | IXYS Semiconductor | IXYS RF IXFH6N100F 晶体管, 射频FET, 1 kV, 6 A, 180 W, 500 kHz, TO-247AD | 搜索库存 |
替代型号IXFH6N100F
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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