IXTQ170N10P
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXTQ170N10P中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 9 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 714 W
阈值电压 5 V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 170 A
上升时间 50 ns
反向恢复时间 120 ns
输入电容Ciss 6000pF @25VVds
下降时间 33 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 715W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3-3
外形尺寸
长度 15.8 mm
宽度 4.9 mm
高度 20.3 mm
封装 TO-3-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
IXTQ170N10P引脚图与封装图
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在线购买IXTQ170N10P
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTQ170N10P | IXYS Semiconductor | IXYS SEMICONDUCTOR IXTQ170N10P 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 170 A, 100 V, 9 mohm, 15 V, 5 V | 搜索库存 |
替代型号IXTQ170N10P
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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