IXTH50N20
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXTH50N20中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 200 V
额定电流 50.0 A
针脚数 3
漏源极电阻 0.045 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 300 W
阈值电压 4 V
输入电容 4.60 nF
栅电荷 220 nC
漏源极电压Vds 200 V
连续漏极电流Ids 50.0 A
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 4600pF @25VVds
下降时间 16 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
IXTH50N20引脚图与封装图
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在线购买IXTH50N20
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTH50N20 | IXYS Semiconductor | IXYS SEMICONDUCTOR IXTH50N20 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 200 V, 45 mohm, 10 V, 4 V | 搜索库存 |
替代型号IXTH50N20
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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