IXZ308N120

IXYS Semiconductor 主动器件

IXYS RF IXZ308N120 晶体管, 射频FET, 1.2 kV, 8 A, 880 W, DE-375

RF Mosfet N 通道 100 V 65MHz 23dB 880W DE375

得捷:
RF MOSFET N-CHANNEL DE375

e络盟:
晶体管, 射频FET, 1.2 kV, 8 A, 880 W, DE-375

艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 1200V 8A 6-Pin4+2Tab SMD

Newark:
# IXYS RF IXZ308N120 RF FET Transistor, 1.2 kV, 8 A, 880 W, DE-375

IXZ308N120中文资料参数规格

技术参数

频率 65 MHz

针脚数 6

极性 N-Channel

耗散功率 880 W

漏源极电压Vds 1.2 kV

连续漏极电流Ids 8.00 A

上升时间 5.00 ns

输出功率 880 W

增益 23 dB

输入电容Ciss 1960pF @960VVds

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3000 mW

额定电压 1200 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 DE-375

外形尺寸

封装 DE-375

其他

产品生命周期 Active

制造应用 Industrial, HVAC, 工业, 电源管理, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

IXZ308N120引脚图与封装图

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