IRF7420TR
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IRF7420TR中文资料参数规格
技术参数
极性 P-CH
耗散功率 2.5W Ta
漏源极电压Vds 12 V
连续漏极电流Ids 11.5A
输入电容Ciss 3529pF @10VVds
耗散功率Max 2.5W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
符合标准
RoHS标准
含铅标准
IRF7420TR引脚图与封装图
暂无图片
替代型号IRF7420TR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRF7420TR 品牌： Infineon 英飞凌 封装： SOIC P-CH 20V 11.5A | 当前型号 | SOIC P-CH 20V 11.5A | 当前型号 |
| 型号： IRF7420TRPBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL P-Channel 20V 11.5A | 类似代替 | HEXFET® P 通道功率 MOSFET，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 P 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。 | IRF7420TR和IRF7420TRPBF的区别 |