IRF7477TR
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IRF7477TR中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 2.5W Ta
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 14A
输入电容Ciss 2710pF @15VVds
耗散功率Max 2.5W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SO-8
外形尺寸
封装 SO-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
IRF7477TR引脚图与封装图
暂无图片
替代型号IRF7477TR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRF7477TR 品牌： Infineon 英飞凌 封装： SOIC N-CH 30V 14A | 当前型号 | SOIC N-CH 30V 14A | 当前型号 |
| 型号： FDS6682 品牌： 飞兆/仙童 封装： SOIC N-Channel 30V 14A 5.7mohms 2.31nF | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6682 晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 30 V, 7.5 mohm, 10 V, 1.7 V | IRF7477TR和FDS6682的区别 |