锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

IRF820ASPBF

IRF820ASPBF

数据手册.pdf

N 沟道 500 V 3 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - D2PAK-3

FEATURES

• Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement

• Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness

• Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current

• Effective Coss specified

• Lead Pb-free Available

APPLICATIONS

• Switch Mode Power Supply SMPS

• Uninterruptible Power Supply

• High Speed Power Switching


贸泽:
MOSFET N-Chan 500V 2.5 Amp


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin2+Tab D2PAK


安富利:
Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin2+Tab D2PAK


富昌:
单 N 沟道 500 V 3 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - D2PAK-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin2+Tab D2PAK


IRF820ASPBF中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 50.0 W

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 2.50 A

上升时间 12 ns

下降时间 13 ns

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IRF820ASPBF引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IRF820ASPBF
型号 制造商 描述 购买
IRF820ASPBF Vishay Semiconductor 威世 N 沟道 500 V 3 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - D2PAK-3 搜索库存