IRF830SPBF中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 500 V
额定电流 1.50 A
漏源极电阻 1.5 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 74 W
阈值电压 4 V
输入电容 610pF @25V
栅电荷 38.0 nC
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
连续漏极电流Ids 4.50 A
上升时间 16 ns
下降时间 16 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IRF830SPBF引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRF830SPBF | Vishay Semiconductor 威世 | N 沟道 500 V 1.5 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - D2PAK-3 | 搜索库存 |