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IRFPG50PBF

IRFPG50PBF

数据手册.pdf

VISHAY  IRFPG50PBF  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 1 kV, 2 ohm, 10 V, 4 V

The is a 1000V N-channel enhancement-mode Power MOSFET with single configuration. This third generation Power MOSFET from Vishay provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low ON-resistance. It also provides greater creepage distance between pins to meet the requirements of most safety specifications.

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Dynamic dV/dt rating
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Repetitive avalanche rated
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Fast switching
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Ease of paralleling
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Simple drive requirements
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Isolated central mounting hole
IRFPG50PBF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 1.00 kV

额定电流 6.10 A

额定功率 190 W

针脚数 3

漏源极电阻 2 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 180 W

阈值电压 4 V

输入电容 2800pF @25V

漏源极电压Vds 1 kV

漏源击穿电压 1000 V

连续漏极电流Ids 6.10 A

上升时间 35 ns

输入电容Ciss 2800pF @25VVds

下降时间 36 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 190 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 15.87 mm

宽度 5.31 mm

高度 20.7 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tube

制造应用 Industrial, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IRFPG50PBF引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IRFPG50PBF Vishay Semiconductor 威世 VISHAY  IRFPG50PBF  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 1 kV, 2 ohm, 10 V, 4 V 搜索库存
替代型号IRFPG50PBF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： IRFPG50PBF

品牌： Vishay Semiconductor 威世

封装： TO-247AC N-Channel 1kV 6.1A

当前型号

VISHAY  IRFPG50PBF  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 1 kV, 2 ohm, 10 V, 4 V

当前型号

型号： IRFPG40PBF

品牌： 威世

封装： TO-247AC N-Channel 1kV 4.3A

类似代替

N 通道 MOSFET，600V 至 1000V，Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor

IRFPG50PBF和IRFPG40PBF的区别

型号： IXFH6N100

品牌： IXYS Semiconductor

封装： TO-247 N-Channel 1kV 6A 2Ω

功能相似

IXYS SEMICONDUCTOR  IXFH6N100  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 1 kV, 2 ohm, 10 V, 4.5 V

IRFPG50PBF和IXFH6N100的区别

型号： IXFH6N100F

品牌： IXYS Semiconductor

封装： TO-247AD N-Channel 1000V 6A

功能相似

IXYS RF  IXFH6N100F  晶体管, 射频FET, 1 kV, 6 A, 180 W, 500 kHz, TO-247AD

IRFPG50PBF和IXFH6N100F的区别