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IRFD9020PBF

IRFD9020PBF

数据手册.pdf

VISHAY  IRFD9020PBF  场效应管, MOSFET, P沟道, HEXDIP

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness.

The 4 pin DIP package is a low cost machine-insertable case style which can be stacked in  multiple combinations on standard 0.1" pin centers. The dual drain serves as a thermal link to the mounting surface for power dissipation levels up to 1 W.

FEATURES

• Dynamic dv/dt Rating

• Repetitive Avalanche Rated

• For Automatic Insertion

• End Stackable

• P-Channel

• 175 °C Opertaing Temperature

• Fast Switching

• Lead Pb-free Available

IRFD9020PBF中文资料参数规格
技术参数

针脚数 4

漏源极电阻 0.28 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 1.3 W

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids -1.60 A

上升时间 68 ns

输入电容Ciss 570pF @25VVds

下降时间 29 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.3 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 4

封装 DIP

外形尺寸

长度 6.29 mm

宽度 5 mm

高度 3.37 mm

封装 DIP

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IRFD9020PBF引脚图与封装图
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