IMB11AT110
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
IMB11AT110中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -50.0 V
额定电流 -50.0 mA
额定功率 0.3 W
极性 PNP, P-Channel
耗散功率 0.3 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 30 @5mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 30
额定功率Max 300 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-74-6
外形尺寸
宽度 1.6 mm
高度 1.2 mm
封装 SC-74-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
IMB11AT110引脚图与封装图 
IMB11AT110引脚图
IMB11AT110封装图
IMB11AT110封装焊盘图
在线购买IMB11AT110
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IMB11AT110 | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 晶体管 双极预偏置/数字, 双路 PNP, 50 V, -100 mA, 10 kohm, 10 kohm | 搜索库存 |
替代型号IMB11AT110
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IMB11AT110 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： SOT-457 PNP -50V -50mA 300mW | 当前型号 | 晶体管 双极预偏置/数字, 双路 PNP, 50 V, -100 mA, 10 kohm, 10 kohm | 当前型号 |
| 型号： EMB11T2R 品牌： 罗姆半导体 封装： SOT-563 PNP -50V -50mA | 类似代替 | 2个PNP-预偏置 100mA 50V | IMB11AT110和EMB11T2R的区别 |