IXFK30N100Q2
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
晶体管
IXFK30N100Q2中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.4 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 735 W
阈值电压 5 V
漏源极电压Vds 1 kV
连续漏极电流Ids 30.0 A
上升时间 14 ns
输入电容Ciss 8200pF @25VVds
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 735W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-264-3
外形尺寸
封装 TO-264-3
物理参数
重量 10.0 mg
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended
包装方式 Tube
制造应用 Power Management, Industrial
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
IXFK30N100Q2引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IXFK30N100Q2
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFK30N100Q2 | IXYS Semiconductor | IXYS SEMICONDUCTOR IXFK30N100Q2 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 30 A, 1 kV, 400 mohm, 10 V, 5 V | 搜索库存 |
替代型号IXFK30N100Q2
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXFK30N100Q2 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-264 N-Channel 30A | 当前型号 | IXYS SEMICONDUCTOR IXFK30N100Q2 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 30 A, 1 kV, 400 mohm, 10 V, 5 V | 当前型号 |
| 型号： IXTB30N100L 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 N-CH 1000V 30A | 类似代替 | PLUS N-CH 1000V 30A | IXFK30N100Q2和IXTB30N100L的区别 |
| 型号： IXTN30N100L 品牌： IXYS Semiconductor 封装： SOT-227 | 功能相似 | IXTN 系列 单 N沟道 1000 V 450 mOhm 800 W 功率 Mosfet - SOT-227B | IXFK30N100Q2和IXTN30N100L的区别 |