ISL6613AECBZ

Intersil 英特矽尔主动器件

与预POR过压保护先进的同步整流降压MOSFET驱动器 Advanced Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers with Pre-POR OVP

Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC-EP

得捷:
HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER

安富利:
MOSFET DRVR 3A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N EP

Chip1Stop:
Driver 3A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N EP

Win Source:
IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8EPSOIC

ISL6613AECBZ中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 13.2V max

上升/下降时间 26ns, 18ns

输出接口数 2

耗散功率 2000 mW

耗散功率Max 2000 mW

电源电压 10.8V ~ 13.2V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 0℃ ~ 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

ISL6613AECBZ引脚图与封装图

ISL6613AECBZ引脚图

ISL6613AECBZ封装图

ISL6613AECBZ封装焊盘图

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