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IS45S32400F-7TLA1

IS45S32400F-7TLA1

数据手册.pdf
Integrated Silicon SolutionISSI 主动器件

DRAM Chip SDRAM 128Mbit 4Mx32 3.3V Automotive 86Pin TSOP-II

SDRAM 存储器 IC 128Mb(4M x 32) 并联 143 MHz 5.4 ns 86-TSOP II


得捷:
IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II


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DRAM Chip SDRAM 128Mbit 4Mx32 3.3V Automotive 86-Pin TSOP-II


IS45S32400F-7TLA1中文资料参数规格
技术参数

供电电流 100 mA

位数 32

存取时间 5.4 ns

存取时间Max 5.4ns, 6.5ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 3 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 86

封装 TSOP-86

外形尺寸

封装 TSOP-86

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

IS45S32400F-7TLA1引脚图与封装图
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在线购买IS45S32400F-7TLA1
型号 制造商 描述 购买
IS45S32400F-7TLA1 Integrated Silicon SolutionISSI DRAM Chip SDRAM 128Mbit 4Mx32 3.3V Automotive 86Pin TSOP-II 搜索库存
替代型号IS45S32400F-7TLA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IS45S32400F-7TLA1

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装: TSOP-86

当前型号

DRAM Chip SDRAM 128Mbit 4Mx32 3.3V Automotive 86Pin TSOP-II

当前型号

型号: IS42S32400F-7TL

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装: 86-TSOP

类似代替

RAM, ISSI**ISSI** **SDR SDRAM** 系列提供同步接口,具有可编程 CAS 等待时间(2/3 时钟)。 可使用管道流程实现高速数据传输,且同步 DRAM SDR 系列可提供脉冲读/写功能,且脉冲读/单写入使其特别适用于计算机应用。 **ISSI** SDR SDRAM 设备提供不同的组织和存储器大小系列,工作电源为 3.3V。 LVTTL 接口 有关输入/输出信号,请参考时钟输入的上升边缘 可编程脉冲序列:连续/交错;可编程脉冲长度 每个时钟周期的随机列地址 自刷新和自动刷新模式 ### 动态 RAM

IS45S32400F-7TLA1和IS42S32400F-7TL的区别

型号: IS42S32400F-6TL

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装: TSOP-86

类似代替

128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166MHz, 86Pin TSOP II 400 mil RoHS

IS45S32400F-7TLA1和IS42S32400F-6TL的区别

型号: IS45S32400E-7TLA1

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装: 86-TFSOP

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