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IPD038N04NGBTMA1

IPD038N04NGBTMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

DPAK N-CH 40V 90A

N-Channel 40V 90A Tc 94W Tc Surface Mount PG-TO252-3


得捷:
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3


IPD038N04NGBTMA1中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 94W Tc

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 90A

上升时间 4.2 ns

输入电容Ciss 4500pF @20VVds

下降时间 5.2 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 94W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

IPD038N04NGBTMA1引脚图与封装图
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在线购买IPD038N04NGBTMA1
型号 制造商 描述 购买
IPD038N04NGBTMA1 Infineon 英飞凌 DPAK N-CH 40V 90A 搜索库存
替代型号IPD038N04NGBTMA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IPD038N04NGBTMA1

品牌: Infineon 英飞凌

封装: DPAK N-CH 40V 90A

当前型号

DPAK N-CH 40V 90A

当前型号

型号: IPD038N06N3GATMA1

品牌: 英飞凌

封装: REEL N-Channel 60V 90A

类似代替

N沟道,60V,90A,3.8mΩ@10V

IPD038N04NGBTMA1和IPD038N06N3GATMA1的区别