IRF730B
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
IRF730B中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 2.00 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 73.0 W
漏源极电压Vds 400 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 5.50 A
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220
外形尺寸
封装 TO-220
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
IRF730B引脚图与封装图
暂无图片
替代型号IRF730B
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRF730B 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-220 N-Channel 400V 5.5A 2ohms | 当前型号 | 400V N沟道MOSFET 400V N-Channel MOSFET | 当前型号 |
| 型号： FQP6N40C 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-220 N-Channel 400V 6A 1ohms | 功能相似 | QFET® N 通道 MOSFET，6A 至 10.9A，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 PDP、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 RDSon 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 Qg 和输出电容 Coss 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 FOM。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | IRF730B和FQP6N40C的区别 |