IXFV30N60P
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXFV30N60P中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 600 V
额定电流 30.0 A
漏源极电阻 240 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 500W Tc
输入电容 4.00 nF
栅电荷 82.0 nC
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
连续漏极电流Ids 30.0 A
输入电容Ciss 4000pF @25VVds
耗散功率Max 500W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXFV30N60P引脚图与封装图
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在线购买IXFV30N60P
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFV30N60P | IXYS Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3Pin3+Tab PLUS 220 | 搜索库存 |
替代型号IXFV30N60P
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXFV30N60P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： PLUS N-Channel 600V 30A 240mohms 4nF | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3Pin3+Tab PLUS 220 | 当前型号 |
| 型号： IXFH30N60P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247 N-Channel 600V 30A 240mΩ 4nF | 功能相似 | N沟道 600V 30A | IXFV30N60P和IXFH30N60P的区别 |
| 型号： IXTH30N60P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247 600V 30A 5.05nF | 功能相似 | N沟道 600V 30A | IXFV30N60P和IXTH30N60P的区别 |
| 型号： IXFT30N60P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-268 N-Channel 600V 30A 240mΩ 4nF | 功能相似 | Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3Pin2+Tab TO-268 | IXFV30N60P和IXFT30N60P的区别 |