IXFC26N50P
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXFC26N50P中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 500 V
额定电流 26.0 A
漏源极电阻 260 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 130000 mW
输入电容 3.60 nF
栅电荷 65.0 nC
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
连续漏极电流Ids 26.0 A
输入电容Ciss 3600pF @25VVds
额定功率Max 130 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 130W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 ISOPLUS-220
外形尺寸
封装 ISOPLUS-220
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 End of Life
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXFC26N50P引脚图与封装图
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在线购买IXFC26N50P
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFC26N50P | IXYS Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 15A 3Pin3+Tab ISOPLUS 220 | 搜索库存 |
替代型号IXFC26N50P
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXFC26N50P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： ISOPLUS N-Channel 500V 26A 260mohms 3.6nF | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 500V 15A 3Pin3+Tab ISOPLUS 220 | 当前型号 |
| 型号： IXTC26N50P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-220-3 500V 15A 3.6nF | 功能相似 | Trans MOSFET N-CH 500V 15A 3Pin3+Tab ISOPLUS 220 | IXFC26N50P和IXTC26N50P的区别 |