IRFB18N50KPBF中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 500 V
额定电流 18.0 A
针脚数 3
漏源极电阻 0.29 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 200 W
阈值电压 5 V
输入电容 2830pF @25V
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
连续漏极电流Ids 17.0 A
上升时间 60 ns
下降时间 30 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.51 mm
宽度 4.7 mm
高度 15.49 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
制造应用 电源管理
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IRFB18N50KPBF引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRFB18N50KPBF | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY IRFB18N50KPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 500 V, 250 mohm, 10 V, 5 V | 搜索库存 |