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IRFS59N10DPBF

IRFS59N10DPBF

数据手册.pdf
International Rectifier 国际整流器 分立器件

N沟道 100V 59A

N-Channel 100V 59A Tc 3.8W Ta, 200W Tc Surface Mount D2PAK


得捷:
SMPS HEXFET POWER MOSFET


立创商城:
N沟道 100V 59A


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 59A 3-Pin2+Tab D2PAK Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 59A 3-Pin2+Tab D2PAK Tube


DeviceMart:
MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK


IRFS59N10DPBF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 59.0 A

极性 N-Channel

耗散功率 3.8 W

产品系列 IRFS59N10D

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

连续漏极电流Ids 59.0 A

上升时间 90.0 ns

输入电容Ciss 2450pF @25VVds

额定功率Max 3.8 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Rail, Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

IRFS59N10DPBF引脚图与封装图
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IRFS59N10DPBF International Rectifier 国际整流器 N沟道 100V 59A 搜索库存
替代型号IRFS59N10DPBF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IRFS59N10DPBF

品牌: International Rectifier 国际整流器

封装: TO-263-3 N-Channel 100V 59A

当前型号

N沟道 100V 59A

当前型号

型号: STB80NF10T4

品牌: 意法半导体

封装: TO-263 N-Channel 100V 80A 15mohms

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IRFS59N10DPBF和STB80NF10T4的区别

型号: STB35NF10T4

品牌: 意法半导体

封装: TO-252-3 N-Channel 100V 40A 35mohms

功能相似

N 通道 STripFET™,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

IRFS59N10DPBF和STB35NF10T4的区别

型号: STB40NF10LT4

品牌: 意法半导体

封装: D2PAK N-Channel 100V 40A 30mΩ

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STMICROELECTRONICS  STB40NF10LT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 0.028 ohm, 10 V, 1.7 V

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