IRF3704ZSPBF
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International Rectifier
国际整流器
分立器件
IRF3704ZSPBF中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 20.0 V
额定电流 67.0 A
极性 N-Channel
耗散功率 57 W
产品系列 IRF3704ZS
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20.0 V
连续漏极电流Ids 67.0 A
上升时间 38.0 ns
输入电容Ciss 1220pF @10VVds
额定功率Max 57 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IRF3704ZSPBF引脚图与封装图
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在线购买IRF3704ZSPBF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRF3704ZSPBF | International Rectifier 国际整流器 | N沟道 20V 67A | 搜索库存 |
替代型号IRF3704ZSPBF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRF3704ZSPBF 品牌： International Rectifier 国际整流器 封装： TO-252-3 N-Channel 20V 67A | 当前型号 | N沟道 20V 67A | 当前型号 |
| 型号： STB95N3LLH6 品牌： 意法半导体 封装： D2PAK N-Channel 30V 80A | 功能相似 | N 通道 MOSFET，已停产### MOSFET - N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管或 MOSFET 是用于放大或切换电子信号的晶体管。 氧化物绝缘的栅极上的电压可在其它两个触点（称作源极和漏极）之间感应出一个导电通道。该通道可为 N 型或 P 型。 | IRF3704ZSPBF和STB95N3LLH6的区别 |