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IPA90R1K2C3XKSA1

IPA90R1K2C3XKSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET IPA90R1K2C3XKSA1, 5.1 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220FP封装

CoolMOS™C3 功率 MOSFET


得捷:
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO220-FP


欧时:
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET IPA90R1K2C3XKSA1, 5.1 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220FP封装


贸泽:
MOSFET N-Ch 900V 3.1A TO220FP-3 CoolMOS C3


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 900V 5.1A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.2A; 31W; TO220FP


Verical:
Trans MOSFET N-CH 900V 5.1A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


Win Source:
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO220-FP / N-Channel 900 V 5.1A Tc 31W Tc Through Hole PG-TO220-FP


IPA90R1K2C3XKSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 31 W

极性 N-Channel

耗散功率 31 W

漏源极电压Vds 900 V

连续漏极电流Ids 5.10 A

上升时间 20 ns

输入电容Ciss 710pF @100VVds

下降时间 40 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 31 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.65 mm

宽度 4.85 mm

高度 16.15 mm

封装 TO-220-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IPA90R1K2C3XKSA1引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IPA90R1K2C3XKSA1 Infineon 英飞凌 Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET IPA90R1K2C3XKSA1, 5.1 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220FP封装 搜索库存