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IRFL014NTRPBF

IRFL014NTRPBF

数据手册.pdf
International Rectifier 国际整流器 分立器件

INTERNATIONAL RECTIFIER  IRFL014NTRPBF  场效应管, MOSFET

**HEXFET® N-Channel Power MOSFET up to 50A, Infineon**

HEXFET® Power MOSFETs present a variety of rugged single N-channel devices for AC-DC and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics, motor control and lighting and home appliances.


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.7A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 55V 2.7A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


DeviceMart:
MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223


IRFL014NTRPBF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 55.0 V

额定电流 2.70 A

针脚数 3

漏源极电阻 0.16 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2.1 W

产品系列 IRFL014N

阈值电压 4 V

输入电容 190pF @25V

漏源极电压Vds 55 V

漏源击穿电压 55 V

连续漏极电流Ids 1.90 A

上升时间 7.10 ns

输入电容Ciss 190pF @25VVds

额定功率Max 1 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-261-4

外形尺寸

长度 6.7 mm

高度 1.45 mm

封装 TO-261-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

IRFL014NTRPBF引脚图与封装图
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替代型号IRFL014NTRPBF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IRFL014NTRPBF

品牌: International Rectifier 国际整流器

封装: SOT-223 N-Channel 55V 1.9A

当前型号

INTERNATIONAL RECTIFIER  IRFL014NTRPBF  场效应管, MOSFET

当前型号

型号: STN3NF06L

品牌: 意法半导体

封装: SOT-223 N-Channel 60V 4A 100mΩ

功能相似

STMICROELECTRONICS  STN3NF06L  晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 60 V, 0.07 ohm, 10 V, 2.8 V

IRFL014NTRPBF和STN3NF06L的区别

型号: IRFL014NPBF

品牌: 英飞凌

封装: REEL N-Channel 55V 2.7A

功能相似

N 通道功率 MOSFET 最大 7A,InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。

IRFL014NTRPBF和IRFL014NPBF的区别

型号: STN3NF06

品牌: 意法半导体

封装: SOT-223 N-Channel 60V 4A 70mΩ 315pF

功能相似

STMICROELECTRONICS  STN3NF06  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 60 V, 0.07 ohm, 20 V, 3 V

IRFL014NTRPBF和STN3NF06的区别