IHD10N60RA
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
击穿电压集电极-发射极 600 V
额定功率Max 110 W
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
封装 TO-252-3
工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IHD10N60RA | Infineon 英飞凌 | 逆导IGBT与单片体二极管 Reverse conducting IGBT with monolithic body diode | 搜索库存 |