IRG4RC10SD
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
电子元器件分类
IRG4RC10SD中文资料参数规格
技术参数
额定功率 38 W
击穿电压集电极-发射极 600 V
反向恢复时间 28 ns
额定功率Max 38 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
IRG4RC10SD引脚图与封装图
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在线购买IRG4RC10SD
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRG4RC10SD | Infineon 英飞凌 | IGBT 600V 14A 38W DPAK | 搜索库存 |
替代型号IRG4RC10SD
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRG4RC10SD 品牌： Infineon 英飞凌 封装： | 当前型号 | IGBT 600V 14A 38W DPAK | 当前型号 |
| 型号： IRG4RC10SDPBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL 38000mW | 完全替代 | INFINEON IRG4RC10SDPBF 单晶体管, IGBT, 14 A, 1.7 V, 38 W, 600 V, TO-252AA, 3 引脚 | IRG4RC10SD和IRG4RC10SDPBF的区别 |
| 型号： IRG4RC10SDTRPBF 品牌： 英飞凌 封装： TO-252-3 38000mW | 完全替代 | IGBT 晶体管 600V DC-1kHz | IRG4RC10SD和IRG4RC10SDTRPBF的区别 |
| 型号： RC-10 品牌： 英飞凌 封装： | 功能相似 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 14A IC, 600V VBRCES, N-Channel, TO-252AA, LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3 | IRG4RC10SD和RC-10的区别 |