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IXGA16N60C2

IXGA16N60C2

数据手册.pdf
IXYS Semiconductor 分立器件

IGBT 600V 40A 150W TO263

IGBT PT 表面贴装型 TO-263(IXGA)


得捷:
IGBT 600V 40A 150W TO263


贸泽:
IGBT Transistors 16 Amps 600V 3.0V Rds


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3-Pin2+Tab D2PAK


IXGA16N60C2中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 150 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 9.9 mm

宽度 9.2 mm

高度 4.5 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXGA16N60C2引脚图与封装图
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