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IS42S32160B-7BL

IS42S32160B-7BL

数据手册.pdf
Integrated Silicon SolutionISSI 主动器件

动态随机存取存储器 512M 16Mx32 143MHz SDR S动态随机存取存储器, 3.3V

SDRAM Memory IC Parallel 143MHz 5.4ns 90-LFBGA 13x11


得捷:
IC DRAM 512MBIT PAR 90LFBGA


贸泽:
动态随机存取存储器 512M 16Mx32 143MHz SDR S动态随机存取存储器, 3.3V


艾睿:
DRAM Chip SDRAM 512Mbit 16Mx32 3.3V 90-Pin WBGA


Verical:
DRAM Chip SDRAM 512Mbit 16Mx32 3.3V 90-Pin WBGA


IS42S32160B-7BL中文资料参数规格
技术参数

供电电流 150 mA

位数 32

存取时间 6.5 ns

存取时间Max 5.4ns, 6.5ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 90

封装 BGA-90

外形尺寸

长度 13 mm

宽度 11 mm

高度 1 mm

封装 BGA-90

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

IS42S32160B-7BL引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IS42S32160B-7BL Integrated Silicon SolutionISSI 动态随机存取存储器 512M 16Mx32 143MHz SDR S动态随机存取存储器, 3.3V 搜索库存
替代型号IS42S32160B-7BL
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IS42S32160B-7BL

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装: BGA-90

当前型号

动态随机存取存储器 512M 16Mx32 143MHz SDR S动态随机存取存储器, 3.3V

当前型号

型号: IS42S32160F-7BL

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装: BGA

类似代替

512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 143MHz, 90 ball BGA 8mmx13mm RoHS

IS42S32160B-7BL和IS42S32160F-7BL的区别