GB20SLT12-247
数据手册.pdf
GeneSiC Semiconductor
分立器件
GB20SLT12-247中文资料参数规格
技术参数
正向电压 2V @20A
反向恢复时间 0 ns
正向电流 20 A
正向电压Max 2V @20A
正向电流Max 67 A
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
工作结温Max 175 ℃
耗散功率Max 312000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 TO-247-2
外形尺寸
封装 TO-247-2
其他
产品生命周期 Not For New Designs
包装方式 Each
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
REACH SVHC版本 2015/12/17
GB20SLT12-247引脚图与封装图
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在线购买GB20SLT12-247
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| GB20SLT12-247 | GeneSiC Semiconductor | GENESIC SEMICONDUCTOR GB20SLT12-247 Silicon Carbide Schottky Diode, SiC, 1200V Series, Single, 1.2kV, 20A, 112NC, TO-247AC | 搜索库存 |
替代型号GB20SLT12-247
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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