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FF200R12MT4BOMA1

FF200R12MT4BOMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 电子元器件分类

EconoDUAL™ 2 1200V dual IGBT module with fast trench/fieldstop IGBT4, Emitter Controlled 4 diode and NTC

Summary of Features:

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High Short Circuit Capability
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Self Limiting Short Circuit Current
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Low Switching Losses
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High Power Density
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Isolated Base Plate
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Standard Housing

Benefits:

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Compact module concept
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Optimized development cycle time and cost
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Configuration flexibility
FF200R12MT4BOMA1中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 14nF @25V

额定功率Max 1050 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 1050000 mW

封装参数

封装 AG-ECONOD-2

外形尺寸

封装 AG-ECONOD-2

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tray

制造应用 Solar, Welding, Uninterruptible Power Supply UPS, Drives, Induction Heating

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

FF200R12MT4BOMA1引脚图与封装图
FF200R12MT4BOMA1电路图

FF200R12MT4BOMA1电路图

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FF200R12MT4BOMA1 Infineon 英飞凌 EconoDUAL™ 2 1200V dual IGBT module with fast trench/fieldstop IGBT4, Emitter Controlled 4 diode and NTC 搜索库存