FDFS2P753AZ
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDFS2P753AZ中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 115 mΩ
极性 P-CH
耗散功率 1.6 W
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 3A
上升时间 4 ns
输入电容Ciss 455pF @15VVds
额定功率Max 1.6 W
下降时间 4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 3.1W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.75 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
FDFS2P753AZ引脚图与封装图
暂无图片
在线购买FDFS2P753AZ
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDFS2P753AZ | Fairchild 飞兆/仙童 | 集成的P沟道MOSFET PowerTrench㈢和肖特基二极管-30V ， -3A ，115Mヘ Integrated P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET and Schottky Diode -30V, -3A, 115mヘ | 搜索库存 |
替代型号FDFS2P753AZ
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDFS2P753AZ 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： 8-SOIC P-CH 30V 3A | 当前型号 | 集成的P沟道MOSFET PowerTrench㈢和肖特基二极管-30V ， -3A ，115Mヘ Integrated P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET and Schottky Diode -30V, -3A, 115mヘ | 当前型号 |
| 型号： FDFS2P753Z 品牌： 飞兆/仙童 封装： SOIC P-Channel 30V 3A 115ohms 455pF | 类似代替 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDFS2P753Z 晶体管, MOSFET, P沟道, 3 A, -30 V, 0.069 ohm, -10 V, -2.1 V | FDFS2P753AZ和FDFS2P753Z的区别 |