FDG326P
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDG326P中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -20.0 V
额定电流 -1.50 A
通道数 1
漏源极电阻 140 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 750 mW
输入电容 467 pF
栅电荷 4.40 nC
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20 V
栅源击穿电压 ±8.00 V
连续漏极电流Ids 1.50 A
上升时间 13 ns
输入电容Ciss 467pF @10VVds
额定功率Max 480 mW
下降时间 13 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 750mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-70-6
外形尺寸
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 1.1 mm
封装 SC-70-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDG326P引脚图与封装图
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在线购买FDG326P
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDG326P | Fairchild 飞兆/仙童 | P沟道1.8V指定的PowerTrench MOSFET P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET | 搜索库存 |
替代型号FDG326P
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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