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FDZ208P
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

P沟道30伏的PowerTrench MOSFET BGA P-Channel 30 Volt PowerTrench BGA MOSFET

P-Channel 30 V 12.5A Ta 2.2W Ta Surface Mount 30-BGA 4x3.5


得捷:
MOSFET P-CH 30V 12.5A 30BGA


立创商城:
P沟道 30V 12.5A


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 30V 12.5A 30-Pin BGA T/R


Win Source:
P-Channel 30 Volt PowerTrench BGA MOSFET


FDZ208P中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -30.0 V

额定电流 -12.5 A

漏源极电阻 10.5 mΩ

极性 P-Channel

耗散功率 2.2W Ta

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 20.0 V

栅源击穿电压 ±25.0 V

连续漏极电流Ids 12.5 A

输入电容Ciss 2409pF @15VVds

额定功率Max 1 W

耗散功率Max 2.2W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 18

封装 WFBGA-30

外形尺寸

封装 WFBGA-30

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

FDZ208P引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
FDZ208P Fairchild 飞兆/仙童 P沟道30伏的PowerTrench MOSFET BGA P-Channel 30 Volt PowerTrench BGA MOSFET 搜索库存
替代型号FDZ208P
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: FDZ208P

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: 30-WFBGA P-Channel -30V 12.5A 10.5mohms

当前型号

P沟道30伏的PowerTrench MOSFET BGA P-Channel 30 Volt PowerTrench BGA MOSFET

当前型号

型号: FDMC6679AZ

品牌: 飞兆/仙童

封装: MLP P-Channel 30V 11.5A

功能相似

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMC6679AZ  晶体管, MOSFET, P沟道, -20 A, -30 V, 0.0086 ohm, -10 V, -1.8 V

FDZ208P和FDMC6679AZ的区别

型号: FDMC7692

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FDZ208P和FDMC7692的区别

型号: FDMC7672

品牌: 飞兆/仙童

封装: Power N-Channel 30V 16.9A

功能相似

PowerTrench® N 通道 MOSFET,20A 至 59.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

FDZ208P和FDMC7672的区别