FQPF27N25
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQPF27N25中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 250 V
额定电流 14.0 A
通道数 1
漏源极电阻 110 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 55 W
漏源极电压Vds 250 V
漏源击穿电压 250 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 14.0 A
上升时间 270 ns
输入电容Ciss 2450pF @25VVds
额定功率Max 55 W
下降时间 120 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 55W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQPF27N25引脚图与封装图
暂无图片
替代型号FQPF27N25
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQPF27N25 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-220-3 N-Channel 250V 14A 110mohms | 当前型号 | 250V N沟道MOSFET 250V N-Channel MOSFET | 当前型号 |
| 型号： STF17NF25 品牌： 意法半导体 封装： TO-220-3 N-Channel 250V 8.5A | 功能相似 | N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。 | FQPF27N25和STF17NF25的区别 |