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FDD8444L
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

N沟道MOSFET的PowerTrench N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET

Features

Typ rDSon = 3.8mΩ at VGS = 5V, ID = 50A

Typ Qgtot= 46nC at VGS= 5V

Low Miller Charge

Low QrrBody Diode

UIS Capability Single Pulse/ Repetitive Pulse

Qualified to AEC Q101

RoHS Compliant


得捷:
MOSFET N-CH 40V 16A/50A TO252AA


立创商城:
N沟道 40V 16A 50A


贸泽:
MOSFET 40V N-Ch POWERTRENCH MOSFET


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 40V 16A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


FDD8444L中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 6 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 153 W

漏源极电压Vds 40 V

漏源击穿电压 40 V

连续漏极电流Ids 50.0 A

上升时间 46 ns

输入电容Ciss 5530pF @25VVds

额定功率Max 153 W

下降时间 19.2 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 153W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.39 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

FDD8444L引脚图与封装图
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