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FDP52N20
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDP52N20  晶体管, MOSFET, N沟道, 52 A, 200 V, 41 mohm, 10 V, 5 V

UniFET™ N 通道 MOSFET, Semiconductor

UniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻,还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外,内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。

UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正 PFC、平板显示屏 FPD 电视电源、ATX(先进技术扩展)和电子灯镇流器。

### MOSFET ,Fairchild Semiconductor

Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 <250V 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。

Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

FDP52N20中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 200 V

额定电流 52.0 A

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 41 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 357 W

阈值电压 5 V

输入电容 2.90 nF

栅电荷 63.0 nC

漏源极电压Vds 200 V

漏源击穿电压 200 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 52.0 A

上升时间 175 ns

输入电容Ciss 2900pF @25VVds

额定功率Max 357 W

下降时间 29 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 357W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.1 mm

宽度 4.7 mm

高度 9.4 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

FDP52N20引脚图与封装图
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