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FDS5670

FDS5670

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Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS5670  晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 60 V, 14 mohm, 10 V, 2.4 V

The is a N-channel MOSFET produced using Semiconductor"s PowerTrench® process. It designed specifically to improve the overall efficiency of DC-to-DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It feature faster switching and lower gate charge than other MOSFETs with comparable RDS ON specifications. The result is a MOSFET that is easy and safer to drive even at very high frequencies and DC-to-DC power supply designs with higher overall efficiency.

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Low gate charge
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Fast switching speed
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High performance Trench technology for extremely low RDS ON
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High power and current handling capability
FDS5670中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 10.0 A

针脚数 8

漏源极电阻 0.014 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2.5 W

阈值电压 2.4 V

输入电容 2.90 nF

栅电荷 49.0 nC

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 10.0 A

上升时间 10 ns

输入电容Ciss 2900pF @15VVds

额定功率Max 1 W

下降时间 23 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.5W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

FDS5670引脚图与封装图
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在线购买FDS5670
型号 制造商 描述 购买
FDS5670 Fairchild 飞兆/仙童 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS5670  晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 60 V, 14 mohm, 10 V, 2.4 V 搜索库存
替代型号FDS5670
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： FDS5670

品牌： Fairchild 飞兆/仙童

封装： SOIC N-Channel 60V 10A 14mohms 2.9nF

当前型号

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS5670  晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 60 V, 14 mohm, 10 V, 2.4 V

当前型号

型号： IRF7855PBF

品牌： 英飞凌

封装： REEL N-Channel 60V 12A

功能相似

N 通道功率 MOSFET 8A 至 12A，InfineonInfineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。

FDS5670和IRF7855PBF的区别

型号： FDS5672

品牌： 安森美

封装： SOIC

功能相似

ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDS5672, 12 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装

FDS5670和FDS5672的区别