FDB12N50FTM_WS
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDB12N50FTM_WS中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 165W Tc
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 11.5A
输入电容Ciss 1395pF @25VVds
额定功率Max 165 W
耗散功率Max 165W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
FDB12N50FTM_WS引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDB12N50FTM_WS | Fairchild 飞兆/仙童 | Trans MOSFET N-CH 500V 11.5A 3Pin2+Tab D2PAK T/R | 搜索库存 |