FQI50N06TU
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQI50N06TU中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 60.0 V
额定电流 50.0 A
通道数 1
漏源极电阻 22 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 3.75 W
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60 V
栅源击穿电压 ±25.0 V
连续漏极电流Ids 50.0 A
上升时间 105 ns
输入电容Ciss 1540pF @25VVds
额定功率Max 3.75 W
下降时间 65 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.75W Ta, 120W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-262-3
外形尺寸
长度 10.29 mm
宽度 4.83 mm
高度 7.88 mm
封装 TO-262-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQI50N06TU引脚图与封装图
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在线购买FQI50N06TU
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FQI50N06TU | Fairchild 飞兆/仙童 | Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3Pin3+Tab I2PAK Rail | 搜索库存 |
替代型号FQI50N06TU
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQI50N06TU 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-262 N-Channel 60V 50A 22mohms | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3Pin3+Tab I2PAK Rail | 当前型号 |