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FDFM2N111
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

集成的N沟道PowerTrench MOSFET和肖特基二极管 Integrated N-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode

N-Channel 20 V 4A Ta 1.7W Ta Surface Mount MicroFET 3x3mm


得捷:
MOSFET N-CH 20V 4A MICROFET


贸泽:
MOSFET DUAL Pwr MOSFET & SCHOTTKY DIODE


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 4A 6-Pin MLP EP T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 20V 4A 6-Pin MLP EP T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 20V 4A 3X3 MLP


FDFM2N111中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 20.0 V

额定电流 4.00 A

通道数 2

漏源极电阻 100 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 1.7 W

输入电容 273 pF

栅电荷 2.70 nC

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 20 V

连续漏极电流Ids 4.00 A

上升时间 7 ns

击穿电压集电极-发射极 2.00 V

输入电容Ciss 273pF @10VVds

额定功率Max 800 mW

下降时间 7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 1.7W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 Power-33

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 3 mm

高度 0.8 mm

封装 Power-33

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

FDFM2N111引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
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