FQP8P10
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQP8P10中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -100 V
额定电流 -8.00 A
针脚数 3
漏源极电阻 0.41 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 65 W
漏源极电压Vds 100 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 8.00 A
上升时间 110 ns
输入电容Ciss 470pF @25VVds
额定功率Max 65 W
下降时间 35 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 65W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
高度 16.3 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Power Management, Motor Drive & Control, Audio
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQP8P10引脚图与封装图
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在线购买FQP8P10
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FQP8P10 | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP8P10. 晶体管, MOSFET, P沟道, 8 A, -100 V, 410 mohm, -10 V, -4 V | 搜索库存 |
替代型号FQP8P10
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQP8P10 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-220 P-Channel 100V 8A 530mohms | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP8P10. 晶体管, MOSFET, P沟道, 8 A, -100 V, 410 mohm, -10 V, -4 V | 当前型号 |
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