FQP5N60C
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQP5N60C中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 600 V
额定电流 4.50 A
针脚数 3
漏源极电阻 2 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 100 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 4.50 A
上升时间 42 ns
输入电容Ciss 670pF @25VVds
额定功率Max 100 W
下降时间 46 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 100000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.1 mm
宽度 4.7 mm
高度 9.4 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQP5N60C引脚图与封装图
暂无图片
在线购买FQP5N60C
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FQP5N60C | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP5N60C 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 600 V, 2 ohm, 10 V, 4 V | 搜索库存 |
替代型号FQP5N60C
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQP5N60C 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-220 N-Channel 600V 4.5A 2.5ohms | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP5N60C 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 600 V, 2 ohm, 10 V, 4 V | 当前型号 |
| 型号： STP55NF06 品牌： 意法半导体 封装： TO-220 N-Channel 60V 50A 18mΩ | 功能相似 | MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | FQP5N60C和STP55NF06的区别 |
| 型号： STP4NK60Z 品牌： 意法半导体 封装： TO-220 N-Channel 600V 4A 2Ω | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STP4NK60Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 600 V, 2 ohm, 10 V, 3.75 V | FQP5N60C和STP4NK60Z的区别 |
| 型号： STP80NF10 品牌： 意法半导体 封装： TO-220 N-Channel 100V 80A 15mΩ | 功能相似 | N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | FQP5N60C和STP80NF10的区别 |