
额定电压DC 50.0 V
额定电流 150 mA
极性 NPN
耗散功率 100 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 0.15A
最小电流放大倍数hFE 200 @1mA, 6V
最大电流放大倍数hFE 700
额定功率Max 100 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-623-3
长度 1.4 mm
宽度 0.8 mm
高度 0.6 mm
封装 SOT-623-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: FJZ945GTF 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: SOT-623F-3 NPN 50V 150mA | 当前型号 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN/50V/150mA | 当前型号 | |
型号: KSC2785GBU 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-92S NPN 50V 150mA | 功能相似 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Epitaxial Sil | FJZ945GTF和KSC2785GBU的区别 | |
型号: KSC2785GTA 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-92S NPN | 功能相似 | Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 3Pin TO-92S Ammo | FJZ945GTF和KSC2785GTA的区别 | |
型号: FJX945G 品牌: 安森美 封装: | 功能相似 | Small Signal Bipolar Transistor | FJZ945GTF和FJX945G的区别 |