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FGH30N120FTDTU

FGH30N120FTDTU

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

场站的沟槽技术 Field stop trench technology

General Description

Using advanced field stop trench technology, ’s 1200V trench IGBTs offer superior conduction and switching performances, and easy parallel operation with exceptional avalanche ruggedness. This device is designed for soft switching applications.

Features

• Field stop trench technology

• High speed switching

• Low saturation voltage: VCEsat = 1.6V @ IC = 30A

• High input impedance

• RoHS compliant

Applications

• Induction heating and Microwave oven

• Soft switching applications

FGH30N120FTDTU中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 1200 V

反向恢复时间 730 ns

额定功率Max 339 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

FGH30N120FTDTU引脚图与封装图
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