FGL35N120FTDTU

IGBT、1000V 及以上，Fairchild Semiconductor### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

IGBT Trench Field Stop 1.2V 70A 368W Through Hole TO-264-3

得捷:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

欧时:
### 分离式 IGBT、1000V 及以上，Fairchild Semiconductor### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 70A 3-Pin3+Tab TO-264 Rail

安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 70A 3-Pin3+Tab TO-264 Rail

富昌:
FGL35N120FTD Series 1200 V 35 A Field Stop Trench IGBT - TO-264 3L

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 70A 3-Pin3+Tab TO-264 Rail

Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 70A 368000mW 3-Pin3+Tab TO-264 Rail

DeviceMart:
IGBT 1200V 70A 368W TO264