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DDTA114TE-7-F

DDTA114TE-7-F

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3Pin SOT-523 T/R

Features

· Epitaxial Planar Die Construction

· Complementary NPN Types Available DDTC

· Built-In Biasing Resistor, R1 only

· Lead Free/RoHS Compliant Note 2


得捷:
TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT523


艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SOT-523 T/R


安富利:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SOT-523 T/R


Verical:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW 3-Pin SOT-523 T/R


Win Source:
TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT523


DDTA114TE-7-F中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

耗散功率 0.15 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-523

外形尺寸

高度 0.75 mm

封装 SOT-523

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

DDTA114TE-7-F引脚图与封装图
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在线购买DDTA114TE-7-F
型号 制造商 描述 购买
DDTA114TE-7-F Diodes 美台 Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3Pin SOT-523 T/R 搜索库存
替代型号DDTA114TE-7-F
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： DDTA114TE-7-F

品牌： Diodes 美台

封装： SOT-523 PNP 150mW

当前型号

Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3Pin SOT-523 T/R

当前型号

型号： DTA114TE

品牌： 罗姆半导体

封装： SOT-523/EMT3 PNP

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DDTA114TE-7-F和DTA114TE的区别

型号： DDTA114TE-7

品牌： 美台

封装： SOT-523 PNP

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DDTA114TE-7-F和DDTA114TE-7的区别