DMN25D0UFA-7B
数据手册.pdfDiodes(美台)
分立器件
极性 N-CH
耗散功率 0.63 W
漏源极电压Vds 25 V
连续漏极电流Ids 0.32A
上升时间 1.8 ns
输入电容Ciss 27.9pF @10VVds
下降时间 2.3 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 280mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 DFN0806-3
封装 DFN0806-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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DMN25D0UFA-7B | Diodes 美台 | MOSFET N-CH 25V 0.24A 3DFN | 搜索库存 |