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DSEI2X61-04C

DSEI2X61-04C

数据手册.pdf
IXYS Semiconductor 分立器件

IXYS SEMICONDUCTOR  DSEI2X61-04C  标准恢复二极管, 双独立, 400 V, 60 A, 1.8 V, 50 ns, 550 A

整流器,Ixys

### 二极管和整流器,Ixys


欧时:
IXYS 二极管 DSEI2X61-04C 开关, Io=60A, Vrev=400V, 50ns, 4引脚 SOT-227B封装


得捷:
DIODE MODULE 400V 60A SOT227B


e络盟:
二极管模块, 400 V, 60 A, 1.8 V, 双路隔离, DSEI2 Series


艾睿:
If your circuit needs to adjust from an AC to DC voltage use a switching diode DSEI2X61-04C rectifier from Ixys Corporation. Its maximum power dissipation is 180000 mW. It is made in a dual parallel configuration. This rectifier has a minimum operating temperature of -40 °C and a maximum of 150 °C. Its peak non-repetitive surge current is 600 A, while its maximum continuous forward current is 60 A.


TME:
Module: diode; double independent; 600V; 100A; SOT227B; Ufmax:1.5V


Verical:
Rectifier Diode Switching 400V 60A 50ns 4-Pin SOT-227B


Newark:
# IXYS SEMICONDUCTOR  DSEI2X61-04C  Rectifier Diode, Dual Independent, 400 V, 60 A, 1.8 V, 550 A, 150 C


DSEI2X61-04C中文资料参数规格
技术参数

正向电压 1.8V @60A

反向恢复时间 50 ns

正向电流 60 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) 550 A

正向电压Max 1.8 V

正向电流Max 60 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 180000 mW

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 4

封装 SOT-227-4

外形尺寸

长度 38.23 mm

宽度 25.42 mm

高度 9.6 mm

封装 SOT-227-4

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Each

制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

DSEI2X61-04C引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
DSEI2X61-04C IXYS Semiconductor IXYS SEMICONDUCTOR  DSEI2X61-04C  标准恢复二极管, 双独立, 400 V, 60 A, 1.8 V, 50 ns, 550 A 搜索库存
替代型号DSEI2X61-04C
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: DSEI2X61-04C

品牌: IXYS Semiconductor

封装: SOT 4Pin

当前型号

IXYS SEMICONDUCTOR  DSEI2X61-04C  标准恢复二极管, 双独立, 400 V, 60 A, 1.8 V, 50 ns, 550 A

当前型号

型号: STTH120L06TV1

品牌: 意法半导体

封装: ISOTOP 600V 120A

功能相似

10A 至 240A,STMicroelectronics### 二极管和整流器,STMicroelectronics

DSEI2X61-04C和STTH120L06TV1的区别