DS2016R-100+
数据手册.pdfMaxim Integrated(美信)
主动器件
DS2016R-100+中文资料参数规格
技术参数
电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max
时钟频率 100 GHz
存取时间 100 ns
内存容量 16000 B
电源电压 2.7V ~ 5.5V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 24
封装 SOIC-24
外形尺寸
封装 SOIC-24
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 PB free
DS2016R-100+引脚图与封装图
暂无图片
在线购买DS2016R-100+
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DS2016R-100+ | Maxim Integrated 美信 | IC SRAM 16Kbit 100NS 24SOIC | 搜索库存 |
替代型号DS2016R-100+
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： DS2016R-100+ 品牌： Maxim Integrated 美信 封装： SOIC 16000B 5V 100ns 24Pin | 当前型号 | IC SRAM 16Kbit 100NS 24SOIC | 当前型号 |
| 型号： 6116LA25SOG8 品牌： 艾迪悌 封装： SOIC 24Pin | 功能相似 | SRAM Chip Async Single 5V 16Kbit 2K x 8 25ns 24Pin SOIC T/R | DS2016R-100+和6116LA25SOG8的区别 |
| 型号： LH5116NA-10 品牌： 夏普 封装： SOP 16000B 100ns | 功能相似 | SRAM Chip Async Single 5V 16Kbit 2K x 8 100ns 24Pin SOP | DS2016R-100+和LH5116NA-10的区别 |
| 型号： 6116LA25SOG 品牌： 艾迪悌 封装： SOIC 24Pin | 功能相似 | 静态随机存取存储器 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, 静态随机存取存储器 | DS2016R-100+和6116LA25SOG的区别 |