CSD13202Q2
TI(德州仪器)
分立器件
N 通道功率 MOSFET、CSD13202Q2、12V Vd、9.3mΩ 导通电阻 Rdson/4.5V（最大值）
这个 12V，7.5mΩ NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换和负载管理应用中大大降低功率损耗。 SON 2mm x 2mm 封装提供针对封装尺寸的出色散热性能。
顶视图 RθJA=45°C/W，这是在 1 平方英寸纯铜 Cu（2 盎司）且厚度为 .060" 的环氧板 FR4 印刷电路板 PCB 上测得的值。脉冲持续时间 10μs，占空比 ≤ 2%
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- 超低 Qg和 Qgd
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- 低热阻
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- 雪崩级
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- 无铅端子镀层
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- 符合 RoHS 标准
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- 无卤素
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- 小外形尺寸无引线 SON 2mm × 2mm 塑料封装
## 应用范围
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- 针对负载开关应用进行了优化
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- 存储、平板电脑和手持类器件
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- 针对控制场效应 FET 应用进行了优化
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- 负载点同步降压转换器
